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Le 17 avril 2012 par Muriel de Véricourt
Contrairement à la technologie traditionnelle, reposant sur l’utilisation de silicium massif, cette gamme de produits mise sur des substrats innovants, présentant, sur une couche isolante d’oxyde, une couche de silicium extrêmement mince. Cette couche totalement exempte de charges mobiles permet d’éviter les perturbations dues à leur accumulation.
Baptisée silicium FD (fully depleted, à couche totalement appauvrie, ou ''totalement déplétée''), cette technologie déveoppé au CEA-Leti peut être mise en œuvre sur des transistors à structure planaire classique ou encore sur des puces 3D, qui misent sur l’empilement pour ''booster'' la puissance de calcul.
L'architecture des circuits 2D en silicium FD
Aboutissement de plusieurs années de R&D et d'industrialisation, cette gamme dédiée au silicium FD permettra, selon Soitec, la mise au point de processeurs plus performants et plus économes en remédiant à l’essoufflement de la miniaturisation. Les produits présentés permettent une finesse de gravure de 28 nanomètres et la gamme de l’industriel devrait permettre de descendre jusqu’à dix nanomètres.
Selon l’industriel, la mise en œuvre de ses solutions de silicium FD pourrait d’ores et déjà faire gagner jusqu’à une journée d’autonomie sur un téléphone portable. ST Microelectronics et ST-Ericsson ont d’ailleurs annoncé qu’ils travaillaient avec Soitec au développement de processeurs reposant sur cette technologie pour des appareils portables.
Muriel de Véricourt
Le 17 avril 2012 par Muriel de Véricourt
Augmenter la performance des circuits
Christian Morel
Christian Morel
La nouvelle gamme de Soitec, destinée à la technologie silicium FD promet de booster les performances des appareils mobiles.
Un portefeuille de solutions technologiques destinées à poursuivre
l’amélioration des performances des circuits électroniques vient d’être
dévoilée par le producteur de matériaux semi-conducteurs Soitec.Contrairement à la technologie traditionnelle, reposant sur l’utilisation de silicium massif, cette gamme de produits mise sur des substrats innovants, présentant, sur une couche isolante d’oxyde, une couche de silicium extrêmement mince. Cette couche totalement exempte de charges mobiles permet d’éviter les perturbations dues à leur accumulation.
Baptisée silicium FD (fully depleted, à couche totalement appauvrie, ou ''totalement déplétée''), cette technologie déveoppé au CEA-Leti peut être mise en œuvre sur des transistors à structure planaire classique ou encore sur des puces 3D, qui misent sur l’empilement pour ''booster'' la puissance de calcul.
L'architecture des circuits 2D en silicium FD
Aboutissement de plusieurs années de R&D et d'industrialisation, cette gamme dédiée au silicium FD permettra, selon Soitec, la mise au point de processeurs plus performants et plus économes en remédiant à l’essoufflement de la miniaturisation. Les produits présentés permettent une finesse de gravure de 28 nanomètres et la gamme de l’industriel devrait permettre de descendre jusqu’à dix nanomètres.
Selon l’industriel, la mise en œuvre de ses solutions de silicium FD pourrait d’ores et déjà faire gagner jusqu’à une journée d’autonomie sur un téléphone portable. ST Microelectronics et ST-Ericsson ont d’ailleurs annoncé qu’ils travaillaient avec Soitec au développement de processeurs reposant sur cette technologie pour des appareils portables.
Muriel de Véricourt
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