A lire sur: http://www.gizmodo.fr/2012/12/21/fin-transistors-silicium-annoncee.html?utm_source=Newsletter+Gizmodo&utm_campaign=eb1da45d9a-RSS_EMAIL_CAMPAIGN&utm_medium=email
Les
transistors au silicium sont omniprésents. A la base de toute
électronique, ceux-ci sont présents dans le moindre de nos gadgets. Sans
eux, point de technologie. Pourtant, la course à la miniaturisation se
heurte aujourd’hui à un frein, le silicium. Utilisé dans de trop petites
dimensions, ses performances chutent. Situation à laquelle des
chercheurs du MIT pourraient bien avoir trouvé une solution…
Arséniure d’indium gallium. Le nom de ce matériau est certes plus compliqué que silicium mais il est extraordinairement plus prometteur. Des chercheurs des Laboratoires de Technologies en Microsystèmes du MIT sont parvenus à créer des transistors de seulement 22 nanomètres grâce à ce matériau.
Une taille bien plus réduite que celle du silicium, de quoi permettre d’en stocker bien davantage, et donc d’augmenter les performances. Les chercheurs travaillent à augmenter encore les performances électriques ainsi que la vitesse de leurs transistors et espèrent bien atteindre les 14 nanomètres en 2015 puis seulement 10 en 2018…
[theverge]
Les
transistors au silicium sont omniprésents. A la base de toute
électronique, ceux-ci sont présents dans le moindre de nos gadgets. Sans
eux, point de technologie. Pourtant, la course à la miniaturisation se
heurte aujourd’hui à un frein, le silicium. Utilisé dans de trop petites
dimensions, ses performances chutent. Situation à laquelle des
chercheurs du MIT pourraient bien avoir trouvé une solution…Arséniure d’indium gallium. Le nom de ce matériau est certes plus compliqué que silicium mais il est extraordinairement plus prometteur. Des chercheurs des Laboratoires de Technologies en Microsystèmes du MIT sont parvenus à créer des transistors de seulement 22 nanomètres grâce à ce matériau.
Une taille bien plus réduite que celle du silicium, de quoi permettre d’en stocker bien davantage, et donc d’augmenter les performances. Les chercheurs travaillent à augmenter encore les performances électriques ainsi que la vitesse de leurs transistors et espèrent bien atteindre les 14 nanomètres en 2015 puis seulement 10 en 2018…
[theverge]
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