A lire sur: http://www.tomshardware.fr/articles/memoire-8bits-cellule,1-37412.html
Dans le petit monde des mémoires de stockage, le but ultime est évidemment de stocker le plus possible de données sur une même surface. Il existe plusieurs techniques pour augmenter la densité, les deux principales étant de graver les puces plus finement et de stocker plus de bits par puce. Dans les SSD et le monde de la mémoire flash, on est passé en quelques années de 1 bit par cellule (mémoire SLC) à 2 puis 3 bits par cellule, ce qu'on appelle de la mémoire MLC. Pour différencier les mémoires à 2 et 3 bits, cette dernière porte d'ailleurs le nom de TLC.
Le principal problème, c'est que les mémoires sont de plus en plus complexes : pour gérer 1 bit, il faut deux états logiques, alors qu'il faut 4 états logiques pour stocker deux bits (le 1 du premier, le 1 du second, le 0 du premier et le 0 du second), etc. Une société américaine, Crocus Technology, vient d'annoncer une avancée intéressante dans ce domaine : elle est capable de produire de la mémoire stockant 8 bits par cellule, soit 256 états différents.
Il ne s'agit pas de mémoire flash NAND ou de MRAM (limitées respectivement à 4 et 1 bits par cellule actuellement) mais d'une nouvelle technologie qui utilise des techniques basées sur le magnétisme. La première, AIM (Axial Induced Moment), stocke les données en introduisant une notion de direction, avec un angle précis, et Crocus indique qu'il est possible de stocker 16 états de cette façon. La seconde, MJM (Multi-Junction Magnetic Tunnel Junction) permet de diviser une cellule en deux parties, ce qui permet dans la pratique de gérer 256 états différents pour une cellule.
Crocus n'indique pas la durée de vie des cellules, mais elle indique que la technologie vise surtout des applications embarquées comme les cartes SIM, les cartes bancaires, les passeports, etc. On peut donc supposer que l'écriture doit être assez lente, les applications citées étant généralement en lecture seule, et que le coût doit être assez élevé. Notons que la société indique qu'un des avantages de cette technologie est d'offrir une meilleure résistance aux attaques physiques : il est plus compliqué de lire une puce avec 256 états qu'une puce avec deux états.
Par Pierre Dandumont - Source: Tom's Hardware FR
Dans le petit monde des mémoires de stockage, le but ultime est évidemment de stocker le plus possible de données sur une même surface. Il existe plusieurs techniques pour augmenter la densité, les deux principales étant de graver les puces plus finement et de stocker plus de bits par puce. Dans les SSD et le monde de la mémoire flash, on est passé en quelques années de 1 bit par cellule (mémoire SLC) à 2 puis 3 bits par cellule, ce qu'on appelle de la mémoire MLC. Pour différencier les mémoires à 2 et 3 bits, cette dernière porte d'ailleurs le nom de TLC.
Le principal problème, c'est que les mémoires sont de plus en plus complexes : pour gérer 1 bit, il faut deux états logiques, alors qu'il faut 4 états logiques pour stocker deux bits (le 1 du premier, le 1 du second, le 0 du premier et le 0 du second), etc. Une société américaine, Crocus Technology, vient d'annoncer une avancée intéressante dans ce domaine : elle est capable de produire de la mémoire stockant 8 bits par cellule, soit 256 états différents.
Il ne s'agit pas de mémoire flash NAND ou de MRAM (limitées respectivement à 4 et 1 bits par cellule actuellement) mais d'une nouvelle technologie qui utilise des techniques basées sur le magnétisme. La première, AIM (Axial Induced Moment), stocke les données en introduisant une notion de direction, avec un angle précis, et Crocus indique qu'il est possible de stocker 16 états de cette façon. La seconde, MJM (Multi-Junction Magnetic Tunnel Junction) permet de diviser une cellule en deux parties, ce qui permet dans la pratique de gérer 256 états différents pour une cellule.
Crocus n'indique pas la durée de vie des cellules, mais elle indique que la technologie vise surtout des applications embarquées comme les cartes SIM, les cartes bancaires, les passeports, etc. On peut donc supposer que l'écriture doit être assez lente, les applications citées étant généralement en lecture seule, et que le coût doit être assez élevé. Notons que la société indique qu'un des avantages de cette technologie est d'offrir une meilleure résistance aux attaques physiques : il est plus compliqué de lire une puce avec 256 états qu'une puce avec deux états.
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