Samsung : de la mémoire PRAMSamsung
devrait profiter de l'ISSCC – une conférence dédiée aux circuits
intégrés qui se tiendra du 19 au 23 février prochain à San Francisco –
pour présenter une nouvelle puce PRAM (Phase-change Random-Access-Memory) gravée en 20 nm.Utilisant une interface mémoire de type LPDDR2-N comme le précédent prototype de 1 Gb gravé en 58 nm que le constructeur a présenté en février dernier, cette nouvelle puce affiche une capacité de 8 Gbits. La tension d’alimentation n’évolue pas (1,8V) mais la bande passante progresse, passant à 40 Mo/s. Pour découvrir les autres caractéristiques de cette puce de mémoire PRAM, il va falloir patienter quelques jours encore, Samsung ayant prévu de dévoiler d'autres infos à l’occasion de l’IEDM 2011 (IEEE International Electron Devices Meeting) qui se tiendra dans quelques jours.
Pour plus d’information sur les mémoires du futur et pour mieux comprendre le fonctionnement de la PRAM, nous vous conseillons la lecture de notre article « Retour sur le futur des mémoires ».
http://www.presence-pc.com/actualite/PRAM-8Gbits-20nm-45850/
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