Les processus de
fabrication évoluent aussi pour les puces-mémoires. Ici, c’est la
mémoire flash qui passera l’année prochaine à 20nm et même 15nm pour la
fin 2012. Ces progrès permettront des mémoires plus denses et plus
économes pour toutes les machines mobiles, mais aussi pour les SSD, qui
pourraient bien menacer plus directement les disques durs dans un proche
avenir.
Les puces de mémoire flash ont des processus de fabrication très proches de ceux des microprocesseurs. Comme ce sont des circuits plus simples, elles bénéficient même parfois avant ces derniers des avancées en termes de finesse de gravure. L’année 2012 verra la transition du 25nm au 20nm pour la production de masse. Intel et Micron ont présenté une puce de 128 Gigabits, soit 16Go gravée en 20nm. En alignant 8 de ces puces, ce sont des appareils dotés de 128Go de mémoire qui sont à porté de main. Dans l’immédiat, ce sont des puces de 64 Gigabits qui seront commercialisées. De même, Samsung possède sa propre technologie en 19nm qui promet des performances au moins aussi impressionnantes. Samsung détenant 40% du juteux marché des mémoires flash, il a tout intérêt à rester dans la course.
Hynix veut aller encore plus loin, la firme ayant présenté une puce en 15nm. Enfin, c’est probablement du 15nm car cela n’a pas été confirmé et ce n’est pas le nom : « middle 1X-nm », qui va préciser quoi que ce soit. Il semblerait qu’on a affaire à mieux que le 19nm de Samsung, sinon l’annonce n’aurait sans doute pas eu lieu. La production de ces mémoires ne commencera pas avant fin 2012 car il reste beaucoup des problèmes techniques pour passer à la production de masse.
Ces puces promettent donc une plus grande capacité, une consommation énergétique contenue et des débits allant jusqu’à 400Mo/s. De bonnes nouvelles pour les futurs téléphones et tablettes, mais aussi plus généralement pour l’avenir du SSD. Destinés à remplacer les disques durs grâce à leurs temps d’accès extrêmement réduits, ils souffrent pour l’instant de tarifs prohibitifs par rapport aux bons vieux disques magnétiques. Or, si la pénurie de disques durs provoquée par les inondations en Thaïlande pourrait infléchir cette tendance, les mémoires flash à 20nm risquent d’enfoncer le clou en divisant le prix du Go sur SSD. Si le marché du disque magnétique n’est pas encore en danger, il pourrait le devenir d’ici 2 ou 3 ans, alors qu’Intel commence à tester le 14nm …
Les puces de mémoire flash ont des processus de fabrication très proches de ceux des microprocesseurs. Comme ce sont des circuits plus simples, elles bénéficient même parfois avant ces derniers des avancées en termes de finesse de gravure. L’année 2012 verra la transition du 25nm au 20nm pour la production de masse. Intel et Micron ont présenté une puce de 128 Gigabits, soit 16Go gravée en 20nm. En alignant 8 de ces puces, ce sont des appareils dotés de 128Go de mémoire qui sont à porté de main. Dans l’immédiat, ce sont des puces de 64 Gigabits qui seront commercialisées. De même, Samsung possède sa propre technologie en 19nm qui promet des performances au moins aussi impressionnantes. Samsung détenant 40% du juteux marché des mémoires flash, il a tout intérêt à rester dans la course.
Hynix veut aller encore plus loin, la firme ayant présenté une puce en 15nm. Enfin, c’est probablement du 15nm car cela n’a pas été confirmé et ce n’est pas le nom : « middle 1X-nm », qui va préciser quoi que ce soit. Il semblerait qu’on a affaire à mieux que le 19nm de Samsung, sinon l’annonce n’aurait sans doute pas eu lieu. La production de ces mémoires ne commencera pas avant fin 2012 car il reste beaucoup des problèmes techniques pour passer à la production de masse.
Ces puces promettent donc une plus grande capacité, une consommation énergétique contenue et des débits allant jusqu’à 400Mo/s. De bonnes nouvelles pour les futurs téléphones et tablettes, mais aussi plus généralement pour l’avenir du SSD. Destinés à remplacer les disques durs grâce à leurs temps d’accès extrêmement réduits, ils souffrent pour l’instant de tarifs prohibitifs par rapport aux bons vieux disques magnétiques. Or, si la pénurie de disques durs provoquée par les inondations en Thaïlande pourrait infléchir cette tendance, les mémoires flash à 20nm risquent d’enfoncer le clou en divisant le prix du Go sur SSD. Si le marché du disque magnétique n’est pas encore en danger, il pourrait le devenir d’ici 2 ou 3 ans, alors qu’Intel commence à tester le 14nm …
http://www.tablette-tactile.net/actualite-generale/miniaturisation-des-memoires-flash-bientot-128go-dans-votre-tablette-114653/?utm_source=Newsletter+Tablette-Tactile.net&utm_medium=email&utm_campaign=99465c7f70-RSS_EMAIL_CAMPAIGN
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