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mardi 6 décembre 2011

Coup d’envoi des vraies puces 3D

Le 05 décembre 2011 par Ridha Loukil
Schéma d'intégration de puces en 3D
Schéma d'intégration de puces en 3D
Micron Technology se préparer à introduire les premières vraies puces 3D du marché. Il s’agit de mémoires utilisant une technologie d’intégration 3D développée par IBM.
L’intégration de puces électroniques en 3D passe du labo au marché. Et c’est Micron Technology, fabricant américain de mémoires, qui ouvre la voie. Il se prépare ainsi à commercialiser des mémoires HMC (Hybrid Memory Cube) construites par empilage de puces interconnectées par des trous métallisés enterrés. Il s’agit des premières puces commerciales réalisées avec la technologie d’interconnexion TSV (Through Silicon Vias), qui consiste en des colonnes métalliques reliant les différentes couches de silicium.

La technologie TSV mise en œuvre est développée par IBM. C’est d’ailleurs dans son usine d’East Fishkill, dans l’Etat de New York, que les mémoires 3D de Micron Technology seront fabriquées avec une gravure de 32 nm. Selon Big Blue, elles sont 15 fois plus rapides et 10 fois plus petites que les mémoires 2D de même densité.

Les mémoires HMC sont des puces superposant des mémoires et des circuits logiques. Elles s’adressent aux applications à hautes performances et à fortes contraintes d’encombrements, telles que les Smartphones.

IBM présentera les détails de sa technologie TSV à l'IEEE Electron Devices Meeting, la conférence annuelle sur les avancées de l’électronique, qui se déroule du 05 au 07 décembre à Washington, aux Etats-Unis.

Ridha Loukil

http://www.industrie.com/it/coup-d-envoi-des-vraies-puces-3d.12333?xtor=EPR-25&emv_key=AJ5QmugnaTq78yA9MA

mardi 27 septembre 2011

Mémoires flash : l'usine à 10 milliards de dollars de Samsung

Le 26 septembre 2011 par Ridha Loukil

La cérémonie du démarrage de la ligne de production des mémoires Flash NAND en 20 nm.
La cérémonie du démarrage de la ligne de production des mémoires Flash NAND en 20 nm.
DR

Inaugurée par Samsung Electronics, en Corée du Sud, cette usine qui est la plus grande du monde représente un investissement de 10 milliards de dollars. Elle est dédiée à la fabrication de mémoires Flash de nouvelles générations.

Bienvenue dans la plus grosse usine de semiconducteurs jamais construite dans le monde. Elle a été inaugurée par Samsung Electronics sur son complexe industriel de Hwaseong, en Corée du Sud. Elle représente un investissement de 12 000 milliards de Won coréens, l’équivalent de plus de 10 milliards de dollars. Elle est dédiée à la fabrication des nouvelles générations de mémoires Flash.

Samsung Electronics, qui domine aujourd’hui largement le marché des mémoires Flash, se donne ainsi les moyens industriels de renforcer son leadership. Les travaux de construction de cette usine hors du commun ont commencé en mai 2010. Offrant un espace de travail d'environ 198 000 mètres carrés, elle bénéficie, selon Samsung Electronics, des équipements de production les plus avancés au monde.

La production de masse y a démarré pour les nouvelles mémoires Flash NAND en gravure 20 nm, avec un volume prévu de plus de 10 000 plaquettes de 12 pouces par mois. Samsung prévoit d'augmenter la production et se prépare à y mettre aussi en fabrication la prochaine génération de puces en gravure de 10 nm dès l'année prochaine.

La bataille sera donc rude pour Toshiba et SanDisk, qui ont ouvert, au Japon, une usine commune ultra moderne pour leur dernière génération de mémoire flash en gravure de 19 nm.

Ridha Loukil

http://www.industrie.com/it/electronique/memoires-flash-l-usine-a-10-milliards-de-dollars-de-samsung.11940?xtor=EPR-25