A lire sur: http://www.tomshardware.fr/articles/ReRAM-Crossbar,1-45472.html
Crossbar, une nouvelle compagnie dédiée à la fabrication
de modules de mémoire, annonce qu’elle a conçu le premier die de 8 Go de ReRAM gravé en 25 nm et destiné à une commercialisation à grande échelle. Elle a pour l’instant réalisé les premières puces en silicium et imagine une mise sur le marché d’ici 2017–2018, selon ExtremeTech qui rapporte la nouvelle.Une mémoire prometteuse
Pour mémoire, ReRAM ou Resistive RAM exploite la variation de la résistance électrique d’un matériau selon la tension appliquée. Elpida espère en vendre en 2013 (cf. « ReRAM : un prototype chez Elpida avant commercialisation en 2013 »), mais on parle pour l’instant d’applications de niche.Le projet de Crossbar est donc intéressant. Ce type de ReRAM pourrait à terme remplacer la mémoire Flash. Elle pourrait même servir à remplacer la DRAM et la SRAM. Dans les faits, il faut qu’elle fasse encore ses preuves, mais elle est en théorie plus dense et plus facile à miniaturiser que la NAND qui devrait atteindre ses limites autour du 7 nm, selon les estimations actuelles.
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